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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제8권 제3(1)호
발행연도
1999.8
수록면
224 - 230 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

1999

Bi 함량에 따른 SrBi2xTa₂O9 박막의 전기적 특성
연대중 ,  권용욱 ,  박주동 외 1명 Applied Science and Convergence Technology 1999.08 학술저널

1997

MOD법으로 제조한 $SrBi_{2x}Ta_2O_9$ 강유전체 박막의 열처리 공정에 따른 전기적 특성
연대중 ,  최재식 ,  박주동 외 1명 한국재료학회 학술발표대회 1997.01 학술대회자료

1996

Sol - gel법으로 제조한 SBT 강유전체 박막의 구조적, 전기적 특성 연구
연대중 ,  박주동 ,  오태성 외 1명 한국진공학회 학술발표회초록집 1996.06 학술대회자료

초록· 키워드

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MOD 공정으로 SrBi_(2x)Ta₂O_9 (SBT) 박막을 제조하여 Bi/Ta 몰비 x에 따른 강유전 특성과 누설전류 특성을 분석하였다. Bi/Ta 몰비가 증가함에 따라 SBT 박막의 결정립 크기가 증가하였으며, x=0.8~1.2 조성의 박막은 등축정으로 이루어져 있었으나 x=l.4 및 x=1.6 조성의 박막에서는 침상 형태의 결정립이 관찰되었다. SBT 박막은 Bi/Ta 몰비 x=1.2 조성에서 최적의 강유전 특성을 나타내었으며, 이때 5 V의 인가전압에서 측정한 잔류분극 2P_r과 항전계 E_c는 각기 9.79 μC/㎠와 24.2 ㎸/㎝이었다. Bi/Ta 몰비가 증가함에 따라 SBT 박막의 누설전류밀도가 증가하였다. 후속열처리에 의해 x=1.2 조성 박막의 2P_r과 E_c가 각기 11.3 μC/㎠과 39.6 ㎸/㎝로 증가하였다. Bi/Ta 몰비가 증가함에 따라 후속열처리에 따른 누설전류밀도의 감소 정도가 현격히 증가하여, 후속열처리 전과는 달리 x=1.6 조성에서 가장 낮은 누설전류밀도를 나타내었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

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