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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제8권 제3(1)호
발행연도
1999.8
수록면
238 - 244 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

1999

후속 열처리에 따른 Pt / SBT / Pt 캐패시터의 강유전 특성과 누설전류 특성
권용욱 ,  박주동 ,  연대중 외 1명 Applied Science and Convergence Technology 1999.08 학술저널
후속 열처리에 따른 Pt / SBT / Pt 캐패시터의 강유전 특성과 누설전류 특성
권용욱 ,  연대중 ,  박주동 외 1명 한국진공학회 학술발표회초록집 1999.02 학술대회자료

초록· 키워드

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MOD 공정으로 제조한 SrBi₂.₄Ta₂O_9 (SBT) 박막으로 Pt/SBT/Pt 캐패시터를 형성하여, 400~800℃ 범위에서의 후속 열처리에 따른 강유전 특성 및 누설전류 특성의 변화 거동을 분석하였다. 후속 열처리 전의 SBT 박막은 leaky한 박막의 전형적인 분극이력곡선을 나타내었으나, 550~800℃에서 후속 열처리함에 따라 분극이력 특성이 현저히 향상되어 잘 발달된 강유전 이력곡선을 얻을 수 있었다. Pt/SBT/Pt 캐패시터는 600℃에서 후속 열처리시 잔류분극 2Pr이 9.72 μC/㎠의 최대값을 나타내었으며, 그 이상의 온도에서는 후속 열처리 온도의 증가에 따라 2P_r이 감소하였다. 후속 열처리 전의 SBT 박막은 75 ㎸/㎝의 전계에서 10^(-3) A/㎠의 높은 누설전류밀도를 나타내었으나, 600~800℃에서 후속 열처리함에 따라 누설전류밀도가 10^(-6) A/㎠ 이하로 현저히 감소하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 결과 및 고찰

4. 결론

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