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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제8권 제3(1)호
발행연도
1999.8
수록면
231 - 237 (7page)

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LSMCD (Liquid Source Misted Chemical Deposition) 공정으로 Pt/Ti/SiO₂/Si 기판상에 70~150 ㎚ 두께의 SrBi₂.₄Ta₂O_9 (SBT) 박막을 제조하여, 박막 두께에 따른 미세구조, 강유전 특성과 누설전류 특성을 분석하였다. 70~150 ㎚ 두께 범위의 SBT 박막은 800℃에서 1시간 동안 산소분위기 열처리함으로써 모두 우선방향성이 없는 다결정 박막으로 결정화되었으며, 박막 두께에 무관하게 ~100 ㎚ 크기의 결정립으로 이루어져있었다. SBT 박막의 두께가 감소함에 따라 잔류분극 2P_r과 항전계 E_c가 증가하였으며, 70 ㎚ 두께의 SBT 박막은 5V의 구동전압에서 17.8 μC/㎠의 잔류분극 2P_r과 74 ㎸/㎝의 항전계 E_c를 나타내었다. LSMCD 공정으로 제조한 SBT 박막은 70~150 ㎚의 두께 범위에서 두께 감소에 따라 비유전율이 감소하는 크기 효과를 나타내었다. 125 ㎚ 이상 두께의 SBT 박막은 5V의 인가전압까지 10^(-7) A/㎠ 이하의 우수한 누설전류 특성을 나타내었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 결과 및 고찰

4. 결론

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