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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제9권 제2호
발행연도
2000.5
수록면
130 - 135 (6page)

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Photoluminescence(PL)와 photoreflectance(PR}를 이용하여 Al_(0.25)Ga_(0.75)As/In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs 슈우도형 고 전자 이동도 트랜지스터 구조에 대한 특성을 조사 하였다. 온도 10 K의 PL 측정에서 InGaAs 양자우물에 의한 e2-h1 및 e2-h1 전이 피크가 각각 1.322 및 1.397 eV에서 관측되었다. 온도 의존성으로부터 첫번째 가전자 띠와 두번째 가전자 띠의 에너지 차이는 약 23 meV로 나타났다. 또한 300 K에서의 PR 측정으로 e2-h2 및 e2-h1 전이에 의한 피크를 관측하였고, 두번째 전도 띠의 에너지 준위에 의한 피크가 띠 채움으로 인해 첫번째 전도 띠의 에너지 준위에 의한 피크보다 상대적으로 우세하였다. 반면에 PL 측정에서는 전자 가리개 효과 때문에 첫번째 전도 띠에 의한 피크가 우세하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 이론

4. 결과 및 논의

5. 결론

참고문헌

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