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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제18권 제5호
발행연도
2009.9
수록면
352 - 357 (6page)

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본 연구에서는 1.1 eV의 에너지대역을 흡수할 수 있는 InAs 양자점구조와 1.3 eV의 에너지 대역을 흡수 할 수 있는 InGaAs 양자우물구조를 이용한 텐덤형 태양전지의 구조를 1D poisson을 이용해 설계하고, 분자선 에피택시 장비를 이용하여 각각 5, 10, 15층씩 쌓은 양자점 및 양자우물구조를 삽입하여 p-n접합을 성장하였다. Photoluminescence (PL) 측정을 이용한 광학적 특성 평가에서 양자점 5층 및 양자우물 10층을 삽입한 구조의 PL 피크가 가장 높은 상대발광강도를 나타냈으며, 각각 1.1 eV 및 1.3 eV에서 57.6 meV 및 12.37 meV의 Full Width at Half Maximum을 나타내었다. 양자점의 밀도 및 크기는 Reflection High-Energy Electron Diffraction system과 Atomic Force Microscope를 이용해 분석하였다. 그리고 GaAs/AlGaAs층을 이용한 터널접합에서는 I-V 측정을 통하여 GaAs층의 두께(20, 30, 50 nm)에 따른 터널링 효과를 평가 하였다. GaAs 층의 두께가 30 ㎚ 및 50 ㎚의 터널접합에서는 backward diode 특성을 나타낸 반면, 20 ㎚ GaAs층의 GaAs/AlGaAs 터널접합에서는 다이오드 특성 곡선을 확인하였다.
#Tandem 태양전지 #양자점 #양자우물 #터널접합 #Tandem solar cell #Quantum dot #Quantum well #Tunnel junction

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 실험결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌

참고문헌 (14)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - Lawrence L. Kazmerski / 2006 / / J. Elec. Spectroscopy and Related Phenomena 150 : 105 ~ google schola 2. [학술지(정기간행물)] - K. A. Bertness / 1994 / / Appl. Phys. Lett 65 : 989 ~ google schola 3. [학술지(정기간행물)] - J. F. Geisz / 2008 / / Jones, Appl. Phys. Lett 93 : 123505 ~ google schola 4. [학술대회논문] - S. R Kurtz / 1997 / / 26th IEEE Photovoltaic Specialists Conference : 875 ~ google schola 5. [학술지(정기간행물)] - S. R. Kurtz / 1999 / / Appl. Phys. Lett 77 : 729 ~ google schola

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