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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제3권 제1호
발행연도
1994.3
수록면
26 - 32 (7page)

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질소 분위기에서 RTN에 의해 TiN/TiSi₂ bilayer 형성에 미치는, RTN 온도, 시간, substrate doping 등의 영향을 연구하였다. 형성된 TiN/TiSi₂ bilayer의 구조적, 전기적 특성은 x-ray diffraction(XRD), cross-sectional transmission electron microscopy(XTEM), Rutherford backscattering spectrometry(RBS), x-ray photoelectron spectroscopy(XPS)와 four point probe system 등을 이용하여 분석하였다. 형성된 TiN/TiSi₂ bilayer의 구조는 RTN 처리시간보다 온도에 의존하는 성향이 더욱 강하였다. Ti를 400 Å 증착한 시편의 경우, 600℃-30초 RTN 처리 후에 준안정상인 C49 TiSi₂가 형성되었으나, 700℃ 이상의 온도에서는 안정한 TiN/TiSi₂ bilayer가 형성되었다. 이 TiN/TiSi₂ bilayer는 1.6~1.9Ω/□의 낮은 면저항값을 나타냈다. TiN/TiSi₂ bilayer의 형성에는 BF₂^+의 영향은 거의 없었으며, As는 C49 상에서 C54 상으로의 상전이를 억제하는 효과를 나타냈다. Al/TiN/TiSi₂/Si contact 구조는 550℃, 30분까지 열적 안정성이 양호하였고, 10% 불산용액에서는 약 60초, 1% 불산에서는 180초까지 화학적으로 안정하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

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