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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제1권 제1호
발행연도
1992.2
수록면
67 - 72 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (5)

1998

Si(111) 표면위에 에피택셜 Fe - 실리사이드 형성에 있어서 Ti - interlayer의 역할
김건호 ,  이종덕 ,  박원우 외 1명 한국진공학회 학술발표회초록집 1998.07 학술대회자료
실온에서 Fe / Si(111) - 7×7 계면반응에 대한 준 경험적 분석
김건호 ,  이종덕 ,  임태균 외 2명 한국진공학회 학술발표회초록집 1998.02 학술대회자료
Si(100) 표면 위에 성장시킨 β - FeSi₂의 ARUPS 연구
김건호 ,  임태균 ,  한상욱 외 5명 한국진공학회 학술발표회초록집 1998.02 학술대회자료

1997

ARUPS를 이용한 Si(111) - 7×7 표면과 RDE 방법으로 Si(111) 표면 위에 성장시킨 β - FeSi₂의 전자구조
김건호 ,  임태균 ,  박정환 외 5명 한국진공학회 학술발표회초록집 1997.07 학술대회자료

1992

Growth of Ti on Si(111) - 7×7 Surface and the Formation of Epitaxial C54 TiSi₂ on Si(111) Substrate
김건호 ,  김인호 ,  이정주 외 9명 Applied Science and Convergence Technology 1992.02 학술저널

초록· 키워드

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고에너지 반사 전자회절기(RHEED) 및 투과전자현미경(HRTEM)을 이용하여 Si(111)-7×7 면에서의 Ti박막의 성장 mode와 Si(111) 면에서의 C54 TiSi₂의 정합성장을 조사하였다. 초고진공에서 Si(111)-7×7 표면에 상온에서 Ti를 증착하면 Ti/Si 계면에서 비정질의 Ti-Si 중간막이 먼저 형성되고 그 위에 Ti 박막은 다결정으로 성장하였다. 160 ML의 Ti를 증착한 시료를 초고진공 내에서 750℃로 10분 열처리하면 C54 TiSi₂가 정합성장하였으며 이는 HRTEM 격자상 및 TED pattern으로 확인할 수 있었다. TiSi₂/Si(111) 시료를 다시 900℃로 가열하면 TiSi₂ 위에 단결정 Si층이 [111] 방향으로 성장하였다.

목차

Abstract

요약

1. Introduction

2. Experimentals

3. Results and Discussion

4. Summary

Acknowledgement

References

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