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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제10권 제2호
발행연도
2001.7
수록면
189 - 193 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (4)

2001

W - TiN 복층 전극 소자에서 TiN 박막 형성 조건에 따른 특성 분석
윤선필 ,  노관종 ,  양성우 외 4명 Applied Science and Convergence Technology 2001.07 학술저널

2000

TiN 박막의 N₂ / Ar 비율 및 열처리 조건에 따른 W - TiN 복층 게이트의 특성 분석
윤선필 ,  노관종 ,  양성우 외 4명 한국진공학회 학술발표회초록집 2000.07 학술대회자료
W-TiN 금속 게이트를 사용한 금속-산화막-반도체 소자의 특성 분석
윤선필 ,  노관종 ,  양성우 외 4명 대한전자공학회 학술대회 2000.06 학술대회자료
W / TiN 금속 게이트 MOS소자의 물리ㆍ전기적 특성 분석
윤선필 ,  노관종 ,  노용한 한국진공학회 학술발표회초록집 2000.02 학술대회자료

초록· 키워드

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TiN을 불소의 확산 방지막으로 사용한 W-TiN 복층 게이트 소자의 물리적ㆍ전기적 특성 변화를 살펴보았다. TiN 스퍼터링 증착시 N₂/Ar 가스 비율이 증가할수록 TiN 박막은 N-과다막이 되어 비저항이 증가하였으나, W-TiN 복층 구조에서는 N₂/Ar 가스 비율이 증가할수록 상부 텅스텐 박막의 결정화가 증가하여 비저항이 감소하였다. 한편, 같은 N₂/Ar 비율의 경우, TiN 박막 열처리 온도 변화(600～800℃)에 무관하게 W(110) 방향으로 우선 배향된 결정 구조를 보였다. 누설 전류 특성은 TiN 증착시 N₂/Ar 비율 변화에 무관하게 우수하였으며, TiN을 확산 방지막으로 사용함으로서 순수 텅스텐 전극만을 적용시 나타나는 초기 저전계 누설 특성을 향상시킬 수 있음을 확인하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 논의

4. 결론

참고문헌

참고문헌 (0)

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배기단 ,  이경택 ,  사공현철 외 5명 대한전자공학회 학술대회 2013 .07

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