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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제6권 제3호
발행연도
1997.8
수록면
287 - 292 (6page)

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본 실험은 고밀도 플라즈마원인 inductively coupled plasma(ICP)를 이용하여 실리카 도파로의 코아를 형성하고자 하였다. CF₄/CHF₃ 유량비, bias power 및 source power 등의 변화에 따른 산화막의 식각 특성 즉식각 속도, 식각 단면 및 식각된 표면의 거칠기 등의 변화를 검토하였다. 또한 single Langmuir probe 및 optical emission spectroscopy(OES)를 이용하여, 식각 변수에 따른 ICP의 플라즈마 특성을 관찰하였다. 이상의 결과를 토대로, SiO₂-P₂O_5로 구성된 실리카 도파로의 코아(core)층을 형성하였고, 이때 최적화된 식각 조건에서 식각 속도는 380 ㎚/min이고, 마스크 층으로 사용된 Al(Si 1%)와 산화막과의 식각 선택비는 30:1 이상이였다. 형성된 실리카 도파로를 scanning electron microscopy(SEM)으로 관찰한 결과, 코아층의 식각 단면이 수직하고 패턴 선폭의 손실이 거의 없음을 확인하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 실험 결과 및 고찰

4. 결론

인용문헌

참고문헌 (0)

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