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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Hyunbok Lee (Kangwon National University) Sang Wan Cho (Yonsei University)
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology Applied Science and Convergence Technology Vol.25 No.6
발행연도
2016.11
수록면
128 - 132 (5page)

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We investigated the effect of Ar ion sputtering on the surface electronic structure of indium tin oxide (ITO) using X-ray and ultraviolet photoelectron spectroscopy (XPS and UPS) measurements with increasing Ar ion sputtering time. XPS measurements revealed that surface contamination on ITO was rapidly removed by Ar ion sputtering for 10 s. UPS measurements showed that the work function of ITO increased by 0.2 eV after Ar ion sputtering for 10 s. This increase in work function was attributed to the removal of surface contamination, which formed a positive interface dipole relative to the ITO substrate. However, further Ar ion sputtering did not change the work function of ITO although the surface stoichiometry of ITO did change. Therefore, removing the surface contamination is critical for increasing the work function of ITO, and Ar ion sputtering for a short time (about 10 s) can efficiently remove surface contamination.
#UPS #XPS #ITO #Ar ion sputtering

목차

Abstract
I. Introduction
II. Experimental Section
III. Results and Discussion
IV. Conclusions
References

참고문헌 (16)

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[학술지(정기간행물)] - R. H. Friend / 1999 / / Nature 397 : 121 ~ google schola [학술지(정기간행물)] - H. Spanggaard / 2004 / / Sol. Energy Mater. Sol. Cells 83 : 125 ~ google schola [학술지(정기간행물)] - H. Ishii / 1999 / / Adv. Mater 11 : 605 ~ google schola [학술지(정기간행물)] - N. Koch / 2007 / / ChemPhysChem 8 : 1438 ~ google schola [학술지(정기간행물)] - Hyunbok Lee / 2016 / Interfacial electronic structure for high performance organic devices / Current Applied Physics 16 (12) : 1533 ~ 1549 google schola

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