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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제8권 제4(1)호
발행연도
1999.11
수록면
403 - 409 (7page)

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Fe가 첨가된 반절연성 InP에 Ar 플라즈마를 조사하였을 때 시료의 표면상태를 photoreflectance(PR) 방법으로 연구하였다. Ar 플라즈마(30 W, 10 sec.)를 조사한 시료에서는 상온에서 1.336eV에서 새로운 피크(E_Ar)가 형성되었으며, 이는 V_In-V_P에 관련된 얕은 준위에 의한 신호이며, 표면광전압(surface photovoltage spectroscopy; SPV)에서 관측된 결과와 잘 일치하였다. 또한 Ar 플라즈마의 영향으로 시료의 표면에 P-vacancy가 형성되어 시료에 V_P와 관련된 얕은 준위(shallow level)가 형성되었다. 이는 시료의 표면 전기장 변화의 요인으로 작용하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 이론

3. 실험

4. 결과 및 논의

5. 결론

참고문헌

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