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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제4권 제3호
발행연도
1995.9
수록면
293 - 300 (8page)

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P-doped poly-Si/SiO₂/Si 기판위에 저압 화학 증착법(LPCVD)으로 증착한 텅스텐 실리사이드(WSi_2.7)막을 850℃에서 20분 동안 N₂ 분위기에서 열처리한 후에 건식 분위기에서 열산화하였다. 다결정 실리콘의 인도핑(doping) 레벨에 따른 텅스텐 폴리사이드(WSi_2.5/poly-Si)막의 산화 성장율과 텅스텐 폴리사이드막의 산화 메카니즘에 대하여 연구하였다. 텅스텐 폴리사이드막의 산화 성장율은 다결정 실리콘의 인(P) 도핑 레벨이 증가함에 따라 증가하였다. 텅스텐 폴리사이드막의 산화는 텅스텐 실리사이드층의 과잉(excess) Si가 초기 산화 과정 동안 소모된 후에 다결정 실리콘층의 Si가 소모되었다. 산화막과 산화막을 식각(etching)한 후에 텅스텐 실리사이드막의 표면 거칠기는 다결정 실리콘의 인 농도가 적을수록 평탄하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 실험결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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