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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제6권 제3호
발행연도
1997.8
수록면
282 - 286 (5page)

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Cl₂ / CH₄ / H₂ 혼합기체를 이용한 InP 소재의 반응성 이온 에칭(RIE; reactive ion etching) 방법에 있어서 기체분율, RF(radio frequency) 전력 및 시료온도를 변화시키며 에칭속도, 측벽 수직도, 표면손상 및 오염 등을 관찰하여 적정 에칭조건을 연구하였다. CH₄ 유령 0-12 sccm, Cl₂ 기체 유량을 3-15 sccm, RF 전력 100-200 W, 시료온도 150-200℃로 각각 변화시켜 실험한 결과 Cl₂ 기체유량 및 RF 전략과 시료온도가 증가함에 따라 에칭속도가 비례하여 증가하였고 RF 전력 150 W, 시편온도 180℃, 10Cl₂/5CH₄/85H₂의 적정 공정조건에서 80˚ 정도의 측벽수직도를 갖는 메사와 미려한 에칭표면이 얻어졌으며 평균 에칭속도는 0.9±0.1 ㎛/min 정도였다. 전자현미경 분석 결과 CH₄/H₂ 혼합기체에 Cl₂를 첨가함에 따라 표면미려도 및 메사측벽 수직도는 다소간 감소 하였으나 에칭공정 중 고분자 물질의 생성이 억제되었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 검토

4. 요약

후기

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