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SiH₄를 이용한 텅스텐의 화학증착시 압력증가가 증착에 미치는 영향
한국표면공학회지
1993 .02
산화규소 표면위에서 $WF_6-SiH_4$ 화학증착에 의한 텅스텐 핵의 생성
한국재료학회지
1992 .01
텅스텐 플러그 CVD 공정에서 SiH4 Soak의 영향
전기전자재료학회논문지
2003 .01
SiH₄ 플라즈마중의 전자수송특성 해석
대한전기학회 학술대회 논문집
1998 .11
SiH₄-H₂계에서 유체유동이 Si의 화학증착에 미치는 영향
한국표면공학회지
1990 .09
SiH₄ 가스의 에너지 분포함수 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2000 .07
Contact Barrier metal용 LPCVD W막의 전기적 특성에 대한 $SiH_4/WF_6$비의 효과
한국재료학회지
1993 .01
SiH₄-N₂ 혼합가스를 사용한 플라즈마 CVD 실리콘질화막의 堆積과 電氣的 特性
전기학회논문지
1986 .08
플라즈마 화학 증착 텅스텐 박막의 특성에 미치는 수소분압의 영향 ( Effects of H2 / WF6 Input Ratio on the Properties of PECVD-W Thin Films )
대한전자공학회 학술대회
1991 .01
Ar/N₂/SiH₄/NH₃ 유도 결합형 플라즈마의 N₂ 함량에 따른 플라즈마 특성 분석
대한전기학회 학술대회 논문집
2016 .07
플라즈마 화학증착법 및 진공 화학 증착법에 의한 텅스텐 박막의 특성 비교 ( I ) ( Characteristic Comparison of Plasma Enhanced CVD and Vacuum CVD Tungsten Thin Films )
대한전자공학회 학술대회
1990 .01
증착 압력이 a-Si:H막의 전도도와 광학적 특성에 미치는 영향
공업화학
1999 .01
New Selective Tungsten Deposition Process by the Alternating Cyclic Hydrogen Reduction of WF₆ using LPCVD
전기학회논문지
1990 .07
플라즈마 화학증착 텅스텐 박막 특성에 미치는 표면 반응온도의 영향 ( Effects of Surface Reaction Temperature on the Properties of Plasma Enhanced CVD Tungsten Thin Films )
대한전자공학회 학술대회
1990 .07
유체 시뮬레이션을 이용한 N₂/SiH₄/NH₃ 유도 결합형 플라즈마 특성 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2016 .10
SiH4/NH3/N2 및 SiH4/NH3/Ar 유량비율이 PECVD SiNx : H 박막의 특성에 미치는 영향 ( Effect of Flow Rate Ratios of SiH4/NH3/N2 and SiH4/NH3/Ar on the Properties of PECVD SiNx : H Films )
전자공학회논문지
1988 .05
TOF법을 이용한 SiH₄ 프라즈마중의 전자군파라미터특성
대한전기학회 학술대회 논문집
1997 .07
SiH₄-Ar혼합기체의 전자분포함수 해석
전기학회논문지 P
2004 .06
특집 : 재료의 플라즈마 표면처리 기술 ; 플라즈마 물리증착 및 화학증착 ( Plasma Assisted PVD and CVD )
대한용접·접합학회지
1999 .02
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