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The CrN/TiN/Al thin films for solar selective absorber were prepared by dc reactive magnetron sputtering with multitargets. The binary nitride CrN layer deposited with change in N2 gas flow rates. The gas mixture of Ar and N2 was animportant parameter during sputtering deposition because the metal volume fraction (MVF) was controlled by theN2 gas flow rate. In this study, the crystallinity and surface properties of the CrN/TiN/Al thin films were estimated byX-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM) and field emission scanning electron microscopy (FESEM). The composition and depth profile of thin films were investigated using Auger electron spectroscopy (AES). Theabsorptance and reflectance with wavelength spectrum were recorded by UV-Vis-NIR spectrophotometry at a rangeof 300~1,100 nm.

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