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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제10권 제3호
- 발행연도
- 2009.1
- 수록면
- 89 - 92 (4page)
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High-quality Al-N doped p-type ZnO thin films were deposited on Si and buffer layer/Si by DC magnetron sputtering in a mixture of N2 and O2 gas. The target was ceramic ZnO mixed with Al2O3 (2 wt%). The p-type ZnO thin films showed a carrier concentration in the range of 1.5x1015~2.93x1017 cm-3, resistivity in the range of 131.2~2.864 Ωcm, mobility in the range of 3.99~31.6 cm2V-1s-1, respectively. It was easier to dope p-type ZnO films on Si substrates than on buffer layer/Si. The film grown on Si showed the highest quality of photoluminescence (PL) characteristics. The Al donor energy level depth (Ed) of Al-N codoped ZnO films was reduced to about 50 meV, and the N acceptor energy level depth (Ea) was reduced to 63 meV.
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