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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제9권 제2호
발행연도
2008.1
수록면
67 - 72 (6page)

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Al-doped p-type ZnO thin films were fabricated by RF magnetron sputtering on n-Si (100) and homo-buffer layers in pure oxygen ambient. ZnO ceramic mixed with 2 wt% Al₂O₃ was selected as a sputtering target. XRD spectra show that the Al-doped ZnO thin films have ZnO crystal structure. Hall Effect experiments with Van der Pauw configuration show that p-type carrier concentrations are arranged from 1.66x10^16 to 4.04x10^18 cm-², mobilities from 0.194 to 198 cm²V-¹s-¹ and resistivities from 0.0963 to 18.4 Wcm. FESEM cross section images of different parts of a p-type ZnO:Al thin film annealed at 800 0C show a compact structure. Measurement for same sample shows that density is 5.40 cm-³ which is smaller than theoretically calculated value of 5.67 cm-³. Photoluminescence (PL) spectra at 10 K show a shoulder peak of p-type ZnO film at about 3.117 eV which is ascribed to electron transition from donor level to acceptor level (DAP).
#Al-doped p-type ZnO #RF magnetron sputtering #Oxygen ambient

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A. Tsukazaki / 2005 / Repeated temperature modulation epitaxy for p-type doping and light-emitting diode based on ZnO / Nat. Mater 4 (1) : 42 ~ google schola B. Yao / 2006 / Effects of nitrogen doping and illumination on lattice constants and conductivity behavior of zinc oxide grown by magnetron sputtering / J. Appl. Phys 99 (12) google schola C.H. Park / 2002 / Origin of p-type doping difficulty in ZnO:The impurity perspective / Phys. Rev. B 66 (7) : 073202 ~ google schola D.C. Look / 2004 / As-doped p-type ZnO produced by an evaporation/sputtering process / Appl. Phys. Lett 85 (22) : 5269 ~ google schola F.X. Xiu / 2005 / High-mobility Sbdoped p-type ZnO by molecular-beam epitaxy / Appl. Phys. Lett 87 (15) : 152101 ~ google schola

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