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논문 기본 정보
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- 학술저널
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- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제10권 제1호
- 발행연도
- 2009.1
- 수록면
- 24 - 27 (4page)
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N-doped ZnO thin films were deposited on n-type Si(100) and homo-buffer layer, and undoped ZnO thin film was also deposited on homo-buffer layer by RF magnetron sputtering method. After deposition, all films were in-situ annealed at 800 oC for 5 minutes in ambient of O2 with pressure of 10 Torr. X-ray diffraction shows that the homo-buffer layer is beneficial to the crystalline of N-doped ZnO thin films and all films have preferable c-axis orientation. Atomic force microscopy shows that undoped ZnO thin film grown on homo-buffer layer has an evident improvement of smoothness compared with N-dope ZnO thin films. Hall-effect measurements show that all ZnO films annealed at 800 oC possess p-type conductivities. The undoped ZnO film has the highest carrier concentration of 1.145x1017 cm-3. The photoluminescence spectra show the emissions related to FE, DAP and many defects such as VZn, ZnO, Oi and OZn. The p-type defects (Oi, VZn, and OZn) are dominant. The undoped ZnO thin film has a better p-type conductivity compared with N-doped ZnO thin film.
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H. M. Zhang / 2006 / / J. Lumin 121 : 601 ~
H. S. Kang / 2003 / / Mater. Sci. Eng. B 102 : 313 ~
H.-J. Jin / 2008 / / Appl. Surf. Sci. 254 : 2207 ~
Hu-Jie Jin / 2007 / Defect Analysis via Photoluminescence of p-type ZnO:N Thin Film fabricated by RF Magnetron Sputtering / 전기전자재료학회논문지 20 (3) : 202 ~ 206
H. M. Zhang / 2006 / / J. Lumin 121 : 601 ~
H. S. Kang / 2003 / / Mater. Sci. Eng. B 102 : 313 ~
H.-J. Jin / 2008 / / Appl. Surf. Sci. 254 : 2207 ~
Hu-Jie Jin / 2007 / Defect Analysis via Photoluminescence of p-type ZnO:N Thin Film fabricated by RF Magnetron Sputtering / 전기전자재료학회논문지 20 (3) : 202 ~ 206
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