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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제19권 제9호
발행연도
2006.1
수록면
808 - 812 (5page)

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In this dissertation, Ru-Zr metal gate electrode deposited on two kinds of dielectric were formed for MOS capacitor. Sample co-sputtering method was used as a alloy deposition method. Various atomic composition was achieved when metal film was deposited by controlling sputtering power. To study the characteristics of metal gate electrode, C-V(capacitance-voltage) and I-V(current-voltage) measurements were performed. Work function and equivalent oxide thickness were extracted from C-V curves by using NCSU(North Carolina State University) quantum model. After the annealing at various temperature, thermal/chemical stability was verified by measuring the variation of effective oxide thickness and work function. This dissertation verified that Ru-Zr gate electrodes deposited on SiO2 and ZrO2 have compatible work functions for NMOS at the specified atomic composition and this metal alloys are thermally stable. Ru-Zr metal gate electrode deposited on SiO2 and ZrO2 exhibit low sheet resistance and this values were varied with temperature. Metal alloy deposited on two kinds of dielectric proposed in this dissertation will be used in company with high-k dielectric replacing polysilicon and will lead improvement of CMOS properties.
#Gate electrode #High-k #Ru #Zr #ZrO2

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참고문헌 (8)

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/ 1997. / CMOS scaling into the nanometer regime 85 (4) : 486 ~ google schola / 1998. / Characteri- zation of ultrathin oxides using electrical C-V and I-V measurements google schola / 1998. / Highly-reliable low-resistivity bcc-Ta gate MOS technology using low-damage Xe-plasma sputtering and Si-encapsulated silicidation process : 186 ~ google schola / 2000. / Modeling gate and substrate currents due to conduction- and valence-band electron and hole tunneling : 198 ~ google schola / 2001. / Dual-metal gate CMOS technology with ultrathin silicon nitride gate dielectric 22 (5) : 227 ~ google schola

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