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자료유형
학술저널
저자정보
최은석 (충남대학교 재료공학과) 양정환 (충남대학교 재료공학과) 윤순길 (충남대학교 재료공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제9권 제4호
발행연도
1999.1
수록면
368 - 372 (5page)

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The suggested electrode structure of MOCVD-Pt/sputtered-Ru/polysilicon has an excellent adhesion with increasing annealing temperatures and shows a stable electrode structure up to $600^{\circ}C$. However, the ruthenium used for barrier layer increased the roughness of platinum bottom electrodes because ruthenium diffused through the Pt bottom electrode and reacted with oxygen during the annealing above $700^{\circ}C$. The surface roughness increased the resistivity of Pt bottom electrodes. The resistivity of samples annealed at $600^{\circ}C$ was about $13\mu$Ω.cm. The electrode structure was possible to apply for ferroelectric thin film integration of semiconductor memory devices.

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