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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 602 - 607 (6page)
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This paper describes the characteristics of Ru-Zr alloy gate electrodes deposited by co-sputtering. The various atomic composition was made possible by controlling sputtering power of Ru and Zr. Thermal stability was examined through 600 and 700 ℃ RTA annealing. Variation of oxide thickness and X-ray diffraction(XRD) pattern after annealing were employed to determine the reaction at interface. Low and relatively stable sheet resistances were observed for Ru-Zr alloy after annealing. Electrical properties of alloy film were measured from MOS capacitor and specific atomic composition of Zr and Ru was found to yield compatible work function for nMOS. Ru-Zr alloy was stable up to 700℃ while maintaining appropriate work function and oxide thickness.
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/ 1991. / Thermal Stability of Polysilicon Resistors : 537 ~
/ 1997. / CMOS scaling into the nanometer regime 85 (4) : 486 ~
/ 1997. / Calorimetric study and optimization of the ruthenium zirconium phase diagram 5 (2) : 111 ~
/ 1998. / Characteriza- tion of Ultrathin Oxides Using Electrical C-V and I-V measurements
/ 1998. / Highly- Reliable Low-Resistivity bcc-Ta Gate MOS Technology Using Low-Damage Xe-Plasma Sputtering and Si-Encapsulated Silicidation Process : 186 ~
/ 1997. / CMOS scaling into the nanometer regime 85 (4) : 486 ~
/ 1997. / Calorimetric study and optimization of the ruthenium zirconium phase diagram 5 (2) : 111 ~
/ 1998. / Characteriza- tion of Ultrathin Oxides Using Electrical C-V and I-V measurements
/ 1998. / Highly- Reliable Low-Resistivity bcc-Ta Gate MOS Technology Using Low-Damage Xe-Plasma Sputtering and Si-Encapsulated Silicidation Process : 186 ~
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