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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제15권 제12호
발행연도
2002.1
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Film Bulk Acoustic Resonator (FBAR) using thin piezoelectric films can be made as monolithic integrated devices with compatibility to semiconductor process, leading to small size, low cost and high Q RF circuit elements with wide applications in communications area. This paper presents an MMIC compatible suspended FBAR using SOI micromachining. It is possible to make a single crystal silicon membrane using a SOI wafer. In fabricating active devices, SOI wafer offers advantage which removes the substrate loss. FBAR was made on the 12µm silicon membrane. Electrode and piezoelectric materials were deposited by RF magnetron sputter. The maximum resonance frequency of FBAR was shown at 2.5GHz range. The reflection loss, , and in that frequency were 1.5dB, 2.29%, 220 and 160, respectively.
#FBAR #Piezoelectric #SOI #MMIC #Membrane

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