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자료유형
학술저널
저자정보
김석구 (한양대학교 Nano-SOI 공정 연구실) 백운규 (한양대학교 세라믹공학과) 박재근 (한양대학교 Nano-SOI 공정 연구실)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제14권 제6호
발행연도
2004.1
수록면
413 - 419 (7page)

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Recently, Silicon On Insulator (SOI) devices emerged to achieve better device characteristics such as higher operation speed, lower power consumption and latch-up immunity. Nevertheless, there are many detrimental defects in SOI wafers such as hydrofluoric-acid (HF)-defects, pinhole, islands, threading dislocations (TD), pyramid stacking faults (PSF), and surface roughness originating from quality of buried oxide film layer. Although the number of defects in SOI wafers has been greatly reduced over the past decade, the turn over of high-speed microprocessors using SOI wafers has been delayed because of unknown defects in SOI wafers. A new characterization method is proposed to investigate the crystalline quality, the buried oxide integrity and some electrical parameters of bonded SOI wafers. In this study, major surface defects in bonded SOI are reviewed using HF dipping, Secco etching, Cu-decoration followed by focused ion beam (FIB) and transmission electron microscope (TEM).
#SOI #TD #PSF #Cu-decoration #FIB

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