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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
왕태희 (Pusan University) 정성현 (Pusan University) 이호준 (Pusan University)
저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제72권 제10호
발행연도
2023.10
수록면
1,200 - 1,207 (8page)
DOI
10.5370/KIEE.2023.72.10.1200

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In this study, simulations based on fluid plasma approximation were conducted to optimize the etching process by understanding the plasma characteristics of Ar/CF4 mixtures and the changes in characteristics when O2 is added, considering real processes. To enhance the ionization efficiency of CF4 gas primarily used in the etching process, Ar was mixed. We analyzed the radical density, which determines plasma characteristics and etching kinetics, according to the Ar/CF4 mixing ratio. Additionally, to account for the actual process, O2 gas was added, and we analyzed the characteristics and changes in plasma properties according to the O2 gas ratio. It was confirmed that Ar had the greatest influence on electron density, followed by CF4. The F radical density, used for chemical etching, increases with the ratio of CF4, while the presence of O2 leads to a decrease in C radicals.

목차

Abstract
1. 서론
2. Simulation Model
3. Simulation Result
4. Conclusion
References

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