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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제10권 제3호
발행연도
2009.1
수록면
93 - 96 (4page)

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The Al-doped ZnO (AZO) films were deposited on a glass substrate by RF magnetron sputtering in pure Ar and Ar+H2 gas ambient at temperature of 100ºC and annealed in hydrogen ambient at the temperature range from 100 to 300 °C, respectively. It was found that either the addition of hydrogen to the sputtering gas or the annealing treatment effectively reduced the resistivity of the AZO films. When the AZO films were annealed at the temperature of 300 °C for 1hr in a hydrogen atmosphere, the resistivity decreased from 2.60×10-3 Ωcm to 8.42×10-4 Ωcm for the film deposited in pure Ar gas ambient. Under the same annealing conditions of temperature and hydrogen ambient, the resistivity of AZO films deposited in the Ar+H2 gas mixture decreased from 8.22×10-4 Ωcm to 4.25×10-4 Ωcm. The lowest resistivity of 4.25×10-4 Ωcm was obtained by adding hydrogen gas to the deposition and annealing process. X-ray diffraction (XRD) pattern of all films showed preferable growth orientation of (002) plane. The average transmittance is above 85 % and in the range of 400-1000 nm for all films.
#AZO #Hydrogen deposition #Hydrogen annealing

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