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조범진 (경원대학교 전기정보공학과) 금민종 (경원대학교 전기정보공학과) 손인환 (신성 대학 디지털 전기계열) 장경욱 (경원전문대학 전자정보과) 이원재 (경원전문대학 자동차과) 김경환 (경원대학교 전기정보공학과)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 한국반도체및디스플레이장비학회 2005년도 추계 학술대회
발행연도
2005.1
수록면
97 - 101 (5page)

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The ZnO:Al thin films were prepared on glass by Facing Target Sputtering (FTS) system. We investigated electrical, optical, and structural properties of AZO thin film with sputter ins current 0.1[A]-0.6[A]. We obtained the lowest resistivity $2.3{\times}\;10^{-4}[{\Omega}-cm]$ at sputtering current 0.6[A] from the 4-point probe and the strong (002) peak at sputtering current 0.3[A] from the X-ray Diffractometer (XRD). The optical transmittance of AZO thin films show a very high transmittance of $80\~95\%$ in the visible range and exhibit the absorpt ion edge of about 350 nm.

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