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논문 기본 정보

자료유형
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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제7권 제4호
발행연도
2006.1
수록면
167 - 172 (6page)

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Submicron colloidal silica coated with ceria were prepared by mixing of silica and nano ceria particles and modified by hydrothermal reaction. The polishing efficiency of the ceria coated silica slurry was tested over oxide film on silicon wafer. By changing the polishing pressure in the range of 140~420 g/cm2 with the ceria coated silica slurries in 100~300 nm, removal rates, WIWNU and friction force were measured. The removal rate was in the order of 200, 100, and 300 nm size silica coated with ceria. It was known that the smaller particle size gives the higher removal rate with higher contact area in Cu slurry. In the case of oxide film, the indentation volume as well as contact area gives effect on the removal rate depending on the size of abrasives. The indentation volume increase with the size of abrasive particles, which results to higher removal rate. The highest removal rate in 200 nm silica core coated with ceria is discussed as proper combination of indentation and contact area effect.
#CMP #Oxide polishing #Ceria coated silica #Hydrothermal treatment #Friction force

목차

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참고문헌 (9)

참고문헌 신청
/ 1990. / Chemical processes in glass polishing 120 : 152 ~ google schola / 1998. / Modifi-cation of the preston equation for the chemical-mechanical polishing of copper 335 : 160 ~ google schola / 2000. / Chemical-mechanical polishing-fundamentals and challenges 566 : 103 ~ google schola / 2001. / Mechansim of polishing of SiO2 films by CeO2 particles 283 : 129 ~ google schola / 2002. / Chemical mechanical polishing of thermal oxide films using silica particles coated with ceria 17 : 2744 ~ google schola

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