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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제7권 제4호
- 발행연도
- 2006.1
- 수록면
- 180 - 183 (4page)
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We report for the first time two-bit operational characteristics of a high-density NOR-type polysilicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) array with common source line (CSL). An undesired disturbance, especially drain disturbance, in the NOR array with CSL comes from the two-bit-per-cell operation. To solve this problem, we propose an efficient bulk-biased programming technique. In this technique, a bulk bias is additionally applied to the substrate of memory cell for decreasing the electric field between nitride layer and drain region. The proposed programming technique shows free of drain disturbance characteristics. As a result, we have accomplished reliable two-bit SONOS array by employing the proposed programming technique.
목차
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/ 1993. / A novel MONOS nonvolatile memory device ensuring 10-year data retention after 107 erase/write cycles 40 : 2011 ~
/ 1997. / A low voltage SONOS nonvolatile semiconductor memory technology 20 (2) : 190 ~
/ 1999. / Can NROM, a 2-bit, trapping storage NVM cell, give a real challenge to floating gate cells? : 522 ~
/ 2000. / NROM: a novel localized trapping, 2-bit nonvolatile memory cell 21 (11) : 543 ~
/ 2000. / On the go with SONOS : 22 ~
/ 1997. / A low voltage SONOS nonvolatile semiconductor memory technology 20 (2) : 190 ~
/ 1999. / Can NROM, a 2-bit, trapping storage NVM cell, give a real challenge to floating gate cells? : 522 ~
/ 2000. / NROM: a novel localized trapping, 2-bit nonvolatile memory cell 21 (11) : 543 ~
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