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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제25권 제6호
발행연도
2012.1
수록면
409 - 413 (5page)

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본 논문에서는 SONOS 메모리의 1셀 4비트 동작을 구현하기 위하여 기판 바이어스를 이용한 2단계 펄스 프로그래밍 방법을 제안하였다. 게이트 바이어스를 이용한 2단계 펄스 프로그래밍 방법과 CHEI 방법보다 이 프로그래밍 방법에 의한 프로그램 시간과 전압이 상당히 감소되었다. 다중-레벨 특성을 위한 4개의 문턱전압 상태의 차이가 10년 동안 최소한 0.5 V 이상 유지되는 것을 확인하였다.
#4-bit SONOS memory #2-step pulse programming #Substrate-bias assisted hot electron #Multi-bit #Multi-level

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B. Eitan / 2000 / / IEEE Electron Device Lett. 21 : 543 ~ google schola B. Eitan / 2005 / Electron Devices Meeting IEDM Technical Digest / IEEE International : 539 ~ google schola E. Lusky / 2001 / / IEEE Electron Device Lett. 22 : 556 ~ google schola G. Zhang / 2008 / / IEEE Trans. Elec. Dev 55 : 2361 ~ google schola G. Zhang / 2010 / / Solid-State Electron 54 : 14 ~ google schola

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