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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제23권 제8호
발행연도
2010.1
수록면
581 - 586 (6page)

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The porous Si (PS) was annealed at various temperature in air, argon, and nitrogen atmosphere. Structural and optical properties of the annealed PS were investigated by scanning electron microscopy (SEM) and photoluminescence (PL). It is found that the shape of pore is changed from circle to channel as increasing annealing temperature which was annealed in air and argon atmosphere. In case of PS annealed in nitrogen atmosphere, the shape of pore is changed from channel to circle with increase annealing temperature from 600 to 800℃. The PL peak position is blue-shifted with increasing annealing temperature. As annealing temperature increases, the PL intensity of the PS annealed in argon is decreased but that of the PS annealed in nitrogen is increased. It might be due to the formation of Si-N bonds and it passivates the non-radiative centers which is Si dangling bonds on the surface of the PS.
#Porous silicon #Thermal annealing #Scanning electron microscopy #Photoluminescence

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참고문헌 (14)

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A. Uhlir / 1956 / / Bell Syst. Tech. J. 35 : 333 ~ google schola B. Unal / 2000 / / J. Porous Mat. 7 : 295 ~ google schola D. R. Turner / 1958 / / J. Electrochem. Soc. 105 : 402 ~ google schola E. A. Petrova / 2000 / / Mater. Sci. Eng. B 9 : 152 ~ google schola G. Lammel / 2001 / / Sens. Actuators, A 92 : 52 ~ google schola

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