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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제17권 제6호
발행연도
2004.1
수록면
592 - 597 (6page)

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Porous silicon(PS) has received much attention as a sensitive material of chemical sensors because of its large internal surface area. In this work, we fabricated gas-sensing devices based on the porous silicon layer which could be applicable to the measurement of blood alcohol content(BAC), and estimated their electrical properties. The structure of the sensor is similar to an MIS (metal-insulator-semiconductor) diode and consists of thin Au/oxidized PS/PS/p-Si/Al, where the p-Si substrate is etched anisotropically to reduce the thickness. We measured C-V curves from two types of the samples with the PS layer treated by the different anodization current density of 60 or 100 mA/cm2, in order to compare the sensitivity. As a result, the magnitude and variation of capacitances from the devices with the PS formed under the current density of 100 mA/cm2 were found to be more detectable due to the larger internal surface.
#Porous silicon #Sensor #Alcohol #Capacitance

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참고문헌 (11)

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/ 1982. / MOS Physics and Technology : 492 ~ google schola / 1990. / Investigations of porous silicon for vapour sensing a21-22 : 835 ~ google schola / 1990. / Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers 57 : 1046 ~ google schola / 1995. / Gas sensing properties of porous silicon 67 : 3727 ~ google schola / 1995. / Micromachining applications of porous silicon 255 : 52 ~ google schola

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