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논문 기본 정보

자료유형
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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제5권 제5호
발행연도
2004.1
수록면
194 - 198 (5page)

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The influences of the deep-level concentration of p-type Si substrates on the optical properties of nano-porous silicon (PS) are investigated by deep level transient spectroscopy (DLTS) and photoluminescence (PL). Utilizing a Si substrate with Fe contaminations significantly enhanced the PL intensity of PS. All the PS samples formed on Fe-contaminated silicon substrates had stronger PL yield than that of reference PS without any intentional Fe contamination but the emission peak is not significantly changed. For the PS1000 sample with Fe contamination of 1,000 ppb, the maximum PL intensity showed about ten times stronger PL than that of the reference PS sample. From PL and DLTS results, the PL efficiency strongly depends on the Fe-related trap concentration in Si substrates.
#Porous silicon #Fe contamination #Deep level transient spectroscopy

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참고문헌 (15)

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/ 1981. / Iron-related deep levels in silicon : 797 ~ google schola / 1988. / A Method of Quantitative Contamination with Metallic Impurities of the Surface of a Silicon Wafer : 2361 ~ google schola / 1990. / Silicon quantum wire array fabri-cation by electrochemical and chemical dissolution of wafers : 1046 ~ google schola / 1991. / Atmospheric impreg-nation of porous silicon at room tempera-ture : 422 ~ google schola / 1992. / Visible electroluminescence from porous silicon : 347 ~ google schola

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