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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2007.1
- 수록면
- 575 - 580 (6page)
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A 16 Mb 1T1C FeRAM device was integrated with BLT capacitors. But a lot of cells were failed randomly during the measuring the bit-line signal distribution of each cell. The reason was revealed that the grain size and orientation of the BLT thin film were severely non-uniform. And the grain size and orientation were severely affected by the process conditions of post heat treatment, especially nucleation step. The optimized annealing temperature at the nucleation step was 560 ℃. The microstructure of the BLT thin film was also varied by the annealing time at the step. The longer process time showed the finer grain size. Therefore, the uniformity of the grain size and orientation could be improved by changing the process conditions of the nucleation step. The FeRAM device without random bit-fail cell was successfully fabricated with the optimized BLT capacitor and the sensing margin in bit-line signal distribution of it was about 340 mV.
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K. N. Kim / 2006 / Integration of lead zirconium titanate thin films for high density ferroelectric random access memory / J. Appl. Phys. 100 : 051604 ~
K. W. Cho / 2005 / Ferroelectric properties of lead-free (Bi,La)4Ti3O12 thin film deposited on MTP cell structure for high density FeRAM device / Mater. Sci. Forum 486-487 : 285 ~
N. K. Kim / 2004 / (Bi,La)4Ti3O12 thin films grown from nanocrystalline perovskite nuclei for ferroelectric memory devices / Appl. Phys. Lett. 85 : 4118 ~
N. K. Kim / 2005 / Crystallographic orientation dependent ferroelectric characteristics of (Bi3.3,La0.8)Ti3O12 (BLT) Capacitors / Integr. Ferroelectr. 70 : 89 ~
S. J. Yeom / 2003 / Thickness effects on physical and ferroelectric properties of (Bi3.35,La0.85)Ti3O12 (BLT) films with c-axis preferred and random orientations / Jpn. J. Ap
K. W. Cho / 2005 / Ferroelectric properties of lead-free (Bi,La)4Ti3O12 thin film deposited on MTP cell structure for high density FeRAM device / Mater. Sci. Forum 486-487 : 285 ~
N. K. Kim / 2004 / (Bi,La)4Ti3O12 thin films grown from nanocrystalline perovskite nuclei for ferroelectric memory devices / Appl. Phys. Lett. 85 : 4118 ~
N. K. Kim / 2005 / Crystallographic orientation dependent ferroelectric characteristics of (Bi3.3,La0.8)Ti3O12 (BLT) Capacitors / Integr. Ferroelectr. 70 : 89 ~
S. J. Yeom / 2003 / Thickness effects on physical and ferroelectric properties of (Bi3.35,La0.85)Ti3O12 (BLT) films with c-axis preferred and random orientations / Jpn. J. Ap
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