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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
황선환 (단국대학교 전자 컴퓨터공학부) 장호정 (단국대학교 전자 컴퓨터공학부)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제12권 제11호
발행연도
2002.1
수록면
835 - 839 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2002

졸-겔법으로 Pt/Ti/SiO/Si 기판위에 제작된 (Bi,La)TiO 강유전체 박막의 특성 연구
황선환 ,  장호정 한국재료학회지 2002.01 학술저널
$Al_2O_3$/si 기판위에 형성한 (Bi,La)$Ti_3O_{12}$ 박막의 특성
황선환 ,  장호정 ,  장영철 한국재료학회 학술발표대회 2002.01 학술대회자료

2001

(Bi,La)$Ti_3O_12$ 강유전체 박막의 전기적 특성 연구
황선환 ,  노준서 ,  장호정 한국재료학회 학술발표대회 2001.01 학술대회자료

초록· 키워드

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Metal-Ferroelectric-Metal(MFM) capacitors were prepared using $Bi_{3.3}$ $La_{0.7}$ $Ti_3$$O_{12}$ (BLT) ferroelectric thin films which were spin coated on $Pt/Ti/SiO_2$/Si substrates by the Sol-Gel method. BLT thin films annealed at above $650^{\circ}C$ showed polycrystalline structures with typical c-axis preferred orientation. The grain size and surface roughness were increased as the annealing temperature increased from $650^{\circ}C$ to $700^{\circ}C$. In addition, the full width at half maximum (FWHM) values were decreased with increasing annealing temperatures, indicating the improvement of crystallinity. The remanent polarization (2Pr= $Pr^{+}$ $+Pr^{-) }$ and leakage current of the BLT film annealed at $650^{\circ}C$ were about 29.3 $\mu$C/cm$^2$ and $2.3$\times$10^{-8}$$ A/cm^2$ at 3V. There were no distinct changes in the retention charges after $10^{10}$ polarization switching cycles, showing good fatigue property of the annealed BLT films.
#Sol-Gel method #Bi,La) ${Ti_3}{O_{12}}$ #Ferroelectric Films #polangation #gatigue

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