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논문 기본 정보

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학술대회자료
저자정보
서강모 (단국대학교 전자컴퓨터공학과) 조중연 (단국대학교 전자컴퓨터공학과) 장호정 (단국대학교 전자공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회 학술발표대회 한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
발행연도
2003.1
수록면
180 - 180 (1page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2003

(Bi,La)$Ti_3O_12/$ 강유전체 물질을 갖는 전계효과형 트랜지스터의 제작과 특성연구
서강모 ,  조중연 ,  장호정 한국재료학회 학술발표대회 2003.01 학술대회자료
(Bi, La)$Ti_{3}O_{12}$ 강유전체 박막의 전기적 특성
서강모 ,  공수철 ,  박지호 외 1명 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 2003.01 학술대회자료

초록· 키워드

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FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)은 DRAM(Dynamic Random Access Memory)in 커패시터 재료을 상유전체 물질에서 강유전체 물질로 대체하여 전원 공급이 차단되어도 정보를 기억할 수 있고, 데이터의 고속처리가 가능하고 저소비전력과 집적화가 뛰어난 차세대 메모리 소자이다. 본 연구에서는 n-Well/P-Si(100) 기판위에 $Y_2$O$_3$ 박막을 중간층 (buffer layer)으로 사용하여 (Bi,La) Ti$_3$O$_{12}$ (BLT) 강유전체 박막을 졸-겔 방법으로 형성하여 MFM(I)S(Metal Ferroelectric Metal (Insulation) Silicon) 구조의 커패시터 및 전계효과형 트랜지스터(Field Effect Transistor) 소자를 제작하였다. 제작된 소자에 대해 형상학적, 전기적 특성을 조사, 분석하였다.

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