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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제15권 제9호
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2002.1
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In recent year, Bi4-xLaxTi3O12(BLT) is one of promising substitute materials at the ferroelectric random access memory(FRAM) applications. But the systematic composition is still insufficient, so this experiment was carried out in ceramic ambient sintering process which has the very excellent ferroelectric property. Samples were prepared by a bulk and the purpose which was estimated with a suitability of thin films applications. Density value of Bi3.75La0.25Ti3O12 was measured highly and the XRD pattern showed that the intensity of main peak (117) was increased at the argon ambient sintering. controlling the quantity of oxygen, crystallization showed a thin, long plate like type, and we obtained the excellent dielectric and polarization properties at the argon atmosphere sintering. Also this sintering process was effective at the bulk sample. Argon ambient sintered sample obtained higher permittivity of 154, value of the remanent polarization(2Pr) obtained 6.8 uC/cm2 than air and oxygen ambient. And this sintering process showed a possibility which could be applied to thin films process.

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