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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제12권 제6호
발행연도
2011.1
수록면
258 - 261 (4page)

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A ferroelectric (Bi,La)_4Ti_3O_(12) (BLT) thin film fabricated by the pulsed-DC sputtering method was evaluated on a cell structure to check its compatibility to high density ferroelectric random access memory (FeRAM) devices. The BLT composition in the sputtering target was Bi_(4.8)La_(1.0)Ti_(3.0)O_(12). Firstly, a BLT film was deposited on a buried Pt/IrO_x/Ir bottom electrode stack with W-plug connected to the transistor in a lower place. Then, the film was finally crystallized at 700℃ for 30 seconds in oxygen ambient. The annealed BLT layer was found to have randomly oriented and small ellipsoidal-shaped grains (long direction: ~100 nm, short direction: ~20 nm). The small and uniform-sized grains with random orientations were considered to be suitable for high density FeRAM devices.
#Ferroelectric capacitor #BLT thin film #Crystallographic orientation #Grain size #Sputtering method

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B. H. Park / 1999 / / Nature 401 : 682 ~ google schola B. Yang / 2002 / / IEEE Electron Device Lett 23 : 743 ~ google schola B. Yang / 2003 / / Jpn. J. Appl. Phys 42 : 1327 ~ google schola C. A. P. de Araujo / 1995 / / Nature 374 : 627 ~ google schola J. Appl. Phys / 1968 / / J. Appl. Phys 39 : 2268 ~ google schola

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