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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제18권 제9호
발행연도
2005.1
수록면
803 - 809 (7page)

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Cerium ammonium nitrate (CAN) and nitric acid was used an etchant and an additive for Ru etching and polishing. pH and Eh values of the CAN and nitric acid added chemical solution satisfied the Ru etching condition. The etch rate increased linearly as the concentration of CAN increased. Nitric acid added solution had the high etch rate. But micro roughness of etched surfaces was not changed before and after etching. The removal rate of Ru film was the highest in 1 wt% abrasive added slurry, and not increased despite the concentration of alumina abrasive increased to 5 wt%. Even Ru film was polished by only CAN solution due to the friction. The highest removal rate of 120 nm/min was obtained in 1 M nitric acid and 1 wt% alumina abrasive particles added slurry. The lowest micro roughness value was observed in this slurry after polishing. From the XPS analysis of etched Ru surface, oxide layer was founded on the etched Ru surface. Therefore, Ru was polished by chemical etching of CAN solution and oxide layer abrasion by abrasive particles. From the result of removal rate without abrasive particle, the etching of CAN solution is more dominant to the Ru CMP.
#Ru CMP #Noble metal CMP #CAN #Etch rate

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참고문헌 (20)

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/ 1974. / Atlas of electochemical equilibria in aqueous solutions : 346 ~ google schola / 1988. / 3-dimensional Stacked Capacitor cell for 16 M and 64 M DRAM’s : 592 ~ google schola / 1990. / A 128 um2 bit-line shielded memory cell technology for 64 Mb DRAM : 13 ~ google schola / 1991. / Chemical mechanical polishing for fabricating W metal features as chip interconnects 138 (11) : 3460 ~ google schola / 1994. / TiO3 thin films prepared by RF sputtering for dynamic random access memory appli- cation 33 : 5187 ~ google schola

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