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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 21 - 26 (6page)
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Ultra-thin silicon dioxides were grown on p-type(100) oriented silicon employing rapid thermal dry oxidation technique at the temperature range of 850～1050 ℃. The growth rate of the ultra-thin film was fitted well with the model which was proposed recently by da Silva & Stosic. The capacitance-voltage, current-voltage characteristics were used to study the electrical properties of these thin oxides. The minimum interface state density around the midgap of the MOS capacitor having oxide thickness of 111.6 Å derived from the C-V curve was ranged from 6 to 10×1010 /cm2eV.
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/ 1965. / General relationship for the thermal oxidation of silicon 36 : 3770 ~
/ 1988. / The Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface, ed. by C. Helms and B. E. Deal : 497 ~
/ 1991. / 급속 열처리 방법으로 성장한 재 산화된 질화 산화막의 전기적 특성 향상 4 (2) : 175 ~
/ 1994. / Breakdown characteristics of RTO 10 nm SiO2 films grown at different temperatures 15 (11) : 449 ~
/ 1995. / Growth kinetics of thermal SiO2 thin films 10 : 1037 ~
/ 1988. / The Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface, ed. by C. Helms and B. E. Deal : 497 ~
/ 1991. / 급속 열처리 방법으로 성장한 재 산화된 질화 산화막의 전기적 특성 향상 4 (2) : 175 ~
/ 1994. / Breakdown characteristics of RTO 10 nm SiO2 films grown at different temperatures 15 (11) : 449 ~
/ 1995. / Growth kinetics of thermal SiO2 thin films 10 : 1037 ~
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