급속 건식 열산화 방법에 의한 초박막 SiO2의 성장과 특성

정상현 ,  김용성 ,  이수홍 외 1명

전기전자재료학회논문지

2004 .01

LPCVD-Si₃N₄ 박막의 열 산화

고재석 ,  구경완 ,  조동율 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .11

얇은 Si 산화막을 지닌 MOS 구조의 전기적 특성

성영권 ,  안상식 ,  백우현

대한전기학회 학술대회 논문집

1984 .07

$N_2O$ 분위기에서 열산화법으로 성장시킨 $SiO_2$초박막의 전기적 특성

강석봉 ,  김선우 ,  변정수 외 1명

한국재료학회지

1994 .01

$N_2$O 분위기에서 RTP로 제조한 실리콘 산화막의 산화 반응

박진성 ,  이우성 ,  심태언

한국재료학회지

1993 .01

산화 분위기에 따른 게이트 산화막의 전기적 특성 분석 ( An Analysis of Electrical Characteristics of Gate Oxides by Oxidation Ambience )

정회환 ,  김동식 ,  정관수

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

산화 분위기에 따른 게이트 산화막의 전기적 특성 분석

정회환 ,  김동식 ,  정관수

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

실리콘 산화막의 전압 전류 특성

강창수

대한전자공학회 학술대회

2016 .06

플라즈마 식각 공정이 N2O 산화막과 순수한 산화막을 갖는 MOS 소자 특성에 미치는 영향에 관한 연구 ( A Study on the Effect of Plasma Etching Process on the Characteristics of MOS Devices with N2O and Pure Gate Oxides )

윤재석 ,  이상돈 ,  김봉렬

전자공학회논문지-A

1996 .09

N2O 산화막을 갖는 MOS 캐패시터의 전기적 및 신뢰성 특성 ( Electrical and Reliability properties of MOS Capacitors with N2O oxides )

이상돈 ,  노재성 ,  김봉렬

전자공학회논문지-A

1994 .06

저압급속열산화법과 플라즈마확산산화법에 의한 실리콘 산화박막의 제조

고천광 ,  이원규

화학공학

2008 .01

PECVD와 NO 어닐링 공정을 이용하여 제작한 N-based 4H-SiC MOS Capacitor의 SiC/SiO2 계면 특성

송관훈 ,  김광수

전기전자학회논문지

2014 .12

구리 금속선의 산화 방지를 위한 알루미늄 박막의 산화 방지 특성 ( Characteristics of the aluminum thin films for the prevention of copper oxidation )

이경일 ,  민경익 ,  주승기 외 2명

전자공학회논문지-A

1994 .10

디지털 합금방법으로 성장한 Al_xGa₁-_xA층의 균일한 산화

최양화 ,  장기수 ,  이용탁

한국통신학회 기타 간행물

2004 .11

등가산화막두께 스케일링을 위한 다성분 산화막에 관한 연구

안지훈

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2015 .11

산화몰리브덴 박막의 구조 및 전기적 특성 고찰

김상곤 ,  김두환 ,  박차수 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

2013 .07

실리콘 산화막의 열적질화와 그 MOS특성에 미치는 영향

이정희 ,  이종현 ,  손병기

대한전자공학회 학술대회

1983 .01

저온 산화공정에 의해 낮은 D를 갖는 실리콘 산화막의 제조

전법주 ,  정일현

공업화학

1998 .01