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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제21권 제5호
발행연도
2008.1
수록면
458 - 462 (5page)

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In this paper, we investigated the (002) preferred orientation and morphology characteristics of AlN thin film by using reactive rf sputtering. Additionally, AlN thin films grown in the range from 150 to 300 W were studied under room temperature without substrate heating and post annealing. Sputtered AlN thin films were well grown on Si substrates and the (002) main peak in XRD patterns showed the highest intensity at 300 W with 0.25° degree of full width at half-maximum (FWHM). As increased RF power, the surface roughness was increased from 1.0 to 3.4 nm. In Fourier transformation infrared spectroscopy (FTIR), A1 (TO) and E1 (TO) mode closed to AlN thin film confirmed the changes with increasing the intensity rate. From these results, we could confirm a chance of the growth of AlN thin film by only low temperature.
#AlN #Room temperature #Sputtering

목차

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참고문헌 (9)

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A. Saxler / 1994 / High quality aluminum nitride epitaxial layers grown on sapphire substrates / Appl. Phys. Lett 64 : 339 ~ google schola H. Cheng / 2003 / The evolution of preferred orientation and morphology of AlN films under various RF sputtering powers / Surface and Coatings Technology 167 : 297 ~ google schola J.X. Zhanga / 2005 / Growth of AlN films on Si (100) and Si (111) substrates by reactive magnetron sputtering / Surface & Coatings Technology 198 : 68 ~ google schola K.H. Chiu / 2007 / Deposition and characterization of reactive magnetron sputtered aluminum nitride thin films for film bulk acoustic wave resonator / Thin Solid Films 515 : google schola L. Mang / 1995 / Thin-film resonator ladder filter / in IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig. : 887 ~ google schola

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