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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제17권 제10호
발행연도
2004.1
수록면
1,023 - 1,028 (6page)

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We fabricated AlN thin film by using RF magnetron sputtering and studied the structural characteristic of AlN thin film with the change of the deposition conditions such as Ar/N2 flow ratio, working pressure, and the distance between substrate and target. The orientation and surface roughness of AlN thin film were studied by using XRD and AFM. We can not identify the orientation of the thin film deposited in Ar, while we obtained the (100) orientation of the thin film with the addition of N2. Especially, the thin film deposited at 18/2 (sccm) of Ar/N2 flow ratio exhibited to be the most (100) oriented. The (100) orientation of thin film becomes weaker as the working pressure becomes higher. The further distance between substrate and target is stronger the (100) orientation of the thin film, but the (100) orientation becomes weaker and (002) orientation started to appear as the distance is shorter. The surface roughness of the thin film deposited at 500℃ in Ar only is 1.1 nm, while very smooth thin film of 0.4∼0.6 nm is obtained with the addition of N2.
#AlN #RF magnetron sputtering #Dimer #100) Orientation #Roughness

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참고문헌 (15)

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/ 1975. / Growth morphology and surface acoustic wave measurements of aln films on sapphire 46 (9) : 3703 ~ google schola / 1981. / Aluminum nitride on silicon surface acoustic wave devices 39 (11) : 878 ~ google schola / 1987. / Plasma CVD of amorphous AlN from metalorganic Al source and properties of the deposited films 26 (9) : 1555 ~ google schola / 1992. / Chemical vapor deposition of aluminium nitride thin films 7 (7) : 1679 ~ google schola / 1993. / Effect of reactive gas mass flow on the composition and structure of AlN films deposited by reactive sputtering 230 : 121 ~ google schola

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