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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제17권 제4호
- 발행연도
- 2016.1
- 수록면
- 222 - 226 (5page)
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This paper investigated the trench process, unified field limit ring, and other products for the development of a 500V-level unified trench gate power MOSFET. The optimal base chemistry for the device was found to be SF6. In SEManalysis, the step process of the trench gate and field limit ring showed outstanding process results. After finalizingdevice design, its electrical characteristics were compared and contrasted with those of a planar device. It was shownthat, although both devices maintained a breakdown voltage of 500 V, the Vth and on-state voltage drop characteristicswere better than those of the planar type.
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G. Majumdar / 2007 / Power Conversion Conference Proceedings :355~359
B. J. Baliga / 1996 / PWS Publishing Company
B.Q. Tang / 1997 / The quasi-three-dimensional optimum analysis of breakdown voltage of floating field-limiting rings / Solid-State Electronics 41(11):1821~1824
S.M. Sze / 1966 / Effect of junction curvature on breakdown voltage in semiconductors / Solid-State Electronics 9(9):831~845
S. M. Sze / 2007 / John Wiley & Sons, Inc
B. J. Baliga / 1996 / PWS Publishing Company
B.Q. Tang / 1997 / The quasi-three-dimensional optimum analysis of breakdown voltage of floating field-limiting rings / Solid-State Electronics 41(11):1821~1824
S.M. Sze / 1966 / Effect of junction curvature on breakdown voltage in semiconductors / Solid-State Electronics 9(9):831~845
S. M. Sze / 2007 / John Wiley & Sons, Inc
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