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자료유형
학술저널
저자정보
Eun Sik Jung (Korea University) Sin-su Kyoung (Korea University) Hunsuk Chung (Korea University) Ey Goo Kang (Far East University)
저널정보
대한전기학회 Journal of Electrical Engineering & Technology Journal of Electrical Engineering & Technology Vol.9 No.6
발행연도
2014.11
수록면
1,995 - 2,003 (9page)

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Power semiconductor devices have been the major backbone for high-power electronic devices. One of important parameters in view of power semiconductor devices often characterize with a high breakdown voltage. Therefore, many efforts have been made, since the development of the Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT), toward having higher level of breakdown voltage, whereby the typical design thereof is focused on the structure using the field ring. In this study, in an attempt to make up more optimized field-ring structure, the characteristics of the field ring were investigated with the use of theoretical arithmetic model and methodologically the design of experiments (DOE). In addition, the IGBT having the field-ring structure was designed via simulation based on the finding from the above, the result of which was also analyzed. Lastly, the current study described the trench field-ring structure taking advantages of trench-etching process having the improved field-ring structure, not as simple as the conventional one. As a result of the simulation, it was found that the improved trench field-ring structure leads to more desirable voltage divider than relying on the conventional field-ring structure.
#IGBT #DOE #Field-ring #Trench field-ring structure

목차

Abstract
1. Introduction
2. Structure & Operating Characteristics of Field-ring
3. Descriptive Modeling of the Field-ring Characteristics
4. Field-ring design
5. Trench Field-ring Structure
6. Conclusion
References

참고문헌 (21)

참고문헌 신청
1. [학술대회논문] - Gourab Majumdar / 2007 / Recent and future IGBT evolution / Power Conversion Conference proceedings : 355 ~ 359 google schola 2. [단행본] - B. J. Baliga / 1996 / Power semiconductor devices / PWS Publishing Company google schola 3. [학술지(정기간행물)] - B. Q. Tang / 1997 / The quasi-threedimensional optimum analysis of breakdown voltage of floating field-limiting rings / Solid-Stage Electronics 41 (11) : 1821 ~ 1824 google schola 4. [학술지(정기간행물)] - S. M. Sze / 1966 / Effect of junction curvature on breakdown voltage in semiconductors / Solid-State Electronics 9 : 831 ~ 845 google schola 5. [단행본] - S. M. Sze / 2007 / Physics of semiconductor devices / John Wiley & Sons google schola

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