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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제15권 제7호
발행연도
2002.1
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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2002

Cl2/CF4/Ar 유도결합 플라즈마에 의해 식각된 SBT 박막의 표면 손상
김동표 ,  김창일 ,  이철인 외 3명 전기전자재료학회논문지 2002.01 학술저널

1999

SF₆/Ar 가스 플라즈마에 의한 SrBi₂Ta₂O₉ 박막의 식각 메커니즘 연구
김동표 ,  서정우 ,  김창일 대한전기학회 학술대회 논문집 1999.11 학술대회자료

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SrBi2Ta2O9 thin films were etched in Cl2/CF4/Ar inductively coupled plasma (ICP). The maximum etch rate was 1300 Å/min at 900 W ICP power in Cl2(20%)/CF4(20%)/Ar(60%). As RF source power increased, radicals (F, Cl) and ion (Ar+) increased. The influence of plasma induced damage during etching process was investigated in terms of P-E hysteresis loops, chemical states on the surface, surface morphology and phase of X-ray diffraction. The chemical states on the etched surface were investigated with X-ray spectroscopy and secondary ion mass spectrometry. After annealing 700 ℃ for 1 h in O2 atmosphere, the decreased P-E hysteresises of the etched SBT thin films in Ar and Cl2/CF4 /Ar plasma were recovered.
#SBT #Cl2/CF4/Ar plasma #ICP #XRD #SIMS

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