Cl₂/Ar 혼합가스를 이용한 VO₂ 박막의 유도결합 플라즈마 식각

정희성; 김성일; 권광호

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자료유형: 학술저널

저자정보: 정희성 김성일 권광호

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제21권 제8호

발행연도: 2008.1

수록면: 727 - 732 (6page)

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In this work, the etch characteristics of VO₂ thin films were investigated using inductively coupled plasma (ICP) of Cl₂/Ar gas mixtures. To analyze the plasma characteristics, a quadrupole mass spectrometer (QMS), an optical emission spectroscopy (OES), and a Langmuir probe measuring system were used. The surface reaction of the VO₂ thin films was investigated using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). It was found that an increase in Ar fraction in the Cl₂/Ar plasma at fixed gas pressure, input power, and bias power resulted in increasing VO₂ etch rate which reached a maximum value of 87.6 nm/min at 70-75 % Ar. It was confirmed that the etch rate of the VO2 films was mainly controlled by the ion flux. On the basis of measuring results, we will discuss possible etching mechanism of VO₂ film in the Cl₂/Ar plasma.

#VO₂ #ICP #Etching #QMS #XPS

참고문헌 (13)

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B.G. Chae / 2008 / Highly oriented VO2 thin films prepared by sol-gel deposition / Electrochem. Solid State Lett 9 : C12 ~

B.J. Kim / 2007 / Temperature dependence of the first-order metal-insulator transition in VO2 and programmable critical temperature sensor / Appl. Phys. Lett 90 : 023515 ~

E. Arcangeletti / 2007 / Evidence of a pressure- induced metallization process in monoclinic VO2 / Phys. Rev. Lett 98 : 196406 ~

F.J. Morin / 1959 / Oxides which show a metal-to-insulator transition at the neel temperature / Phys. Rev. Lett 3 : 34 ~

H. Buhay / 1986 / Summary abstract : Reactive ion etching of vanadium dioxide thin films / J. Vac. Sci. Tech A4 : 440 ~

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