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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제18권 제6호
발행연도
2005.1
수록면
521 - 526 (6page)

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Within wafer non-uniformity(WIWNU) improves as the stiffness of pad decrease. We designed the pad groove to study of pad stiffness on WIWNU in Chemical mechanical polishing(CMP) and measured the pad stiffness according to groove width. The groove influences effective pad stiffness although original mechanical properties of pad are unchanged by grooving. Also, it affects the flow of slurry that has an effect on the lubrication regime and polishing results. An increase of the apparent contact area of pad by groove width results in decrease of effective pad stiffness. WIWNU and profile of removal rate improved as effective pad stiffness decreased. Because grooving the pad reduce its effective stiffness and it makes slurry distribution to be uniform. Futhermore, it ensures that pad conforms to wafer-scale flatness variability. By grooving the top pad, it is possible to reduce its stiffness and hence reduce WIWNU and edge effect.
#Within wafer non-uniformity #WIWNU) #Chemical mechanical polishing #CMP) #Groove #Stiffness #Apparent contact area #Edge effect

목차

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참고문헌 (8)

참고문헌 신청
/ 1996. / The origin of the edge effect in CMP 96-22 : 228 ~ google schola / 1996. / 차세대 반도체 제조를 위한 초정밀 가공기술 36.3 : 221 ~ google schola / 1997. / Components of within wafer non-uniformity in a dielectric CMP process 200p : 169 ~ google schola / 1997. / Von mises stress in chemical mechanical polishing process 144 (3) : 1121 ~ google schola / 1998. / The future interconnects 6 : 90 ~ google schola

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