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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제21권 제1호
발행연도
2008.1
수록면
57 - 62 (6page)

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From the progressing results, it was found that thin film using 52wt%Ni-38wt%Cr-3wt%Al-4 wt%Mn-3wt%Si target has good characteristics for low TCR (temperature coefficients of resistance) and high resistivity. The optimum sputtering condition was DC 250 W, 5 mtorr, and 50 sccm and the proper annealing condition was 350℃/3.5hr in air atmosphere. At these fabricated conditions, thin film resistors with TCR values of less than ±10ppm/℃ were obtained. The TCR of the packaged-samples made at proper fabrication conditions was -3~15ppm/℃ after the thermal cycling and -20~180ppm/℃ after PCT (pressure cooker test), we could confirm reliability for the thin film resistor and find the need for enduring research about packaging method.

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