Laser TSV 공정에 있어서 Via 세정에 관한 연구

서원; 이지영; 조민교; 박재현; 김구성

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자료유형: 학술저널

저자정보: 서원 이지영 조민교 박재현 김구성

저널정보: 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제16권 제1호

발행연도: 2009.1

수록면: 44 - 50 (7page)

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레이저를 이용 실리콘 관통형 접속기술인 TSV(Through-Silicon-Via)를 형성할 경우 Debris(파편물) 및 Particle이 발생되므로 이를 제거하기 위한 세정공정을 연구하였다. 계면활성제를 이용한 화학적 세정과 Brush를 이용한 물리적 세정을 검토하기 위하여 세정기를 제작하고 8인치 CMOS Image Sensor wafer에 직경 30㎛, 깊이 100㎛를 갖는 Via를 제작하여 두 가지의 세정방법을 연구하였다. 세정액은 DI Water와 계면활성제의 혼합비 2 : 1에서 Debris 범위가 73㎛2로 희석비가 낮을수록 세정력이 우수하였다. 레이저의 주파수와 속도변위에 따른 가공 조건 변화에는 Debris 분포차가 5% 미만으로 세정력에는 영향이 없었다. Brush를 이용하여 Debris를 제거하는 실험에서 Strip 1000∼3000rpm, Rinse 50∼3000rpm, Brush 200∼300rpm 으로 증가시켜 세정하였을 때 Crack이나 손상 없이 Debris의 분포가 감소하였다. 따라서 화학적 세정과 물리적 세정으로 Debris를 제거할 수 있다.

#Cleaning #Surfactant #Laser #TSV #Brush

참고문헌 (9)

참고문헌 신청

Andrew C. Tam / 1992 / Laser-cleaning techniques for removal of surface particulate / Journal of Applied Physics 71 : 7 ~

K. Takahashi / 2006 / Through Silicon Via and 3-D Wafer/Chip Stacking Technology / VLSI Circuits 2006 Digest of Technical Papers : 89 ~ 92

M. Liehr / 1992 / Science Issues Related to wafer cleaning in Silicon Technology / Materials Research Society, Proc. : 3 ~ 18

M. Miyamoto / 1994 / Prevention of Micro roughness Generation on the Silicon Wafer Surface in Buffered Hydrogen Fluoride by a Surfactant Addition / Journal of Electrochemical

R. Hippler / 2001 / Low Temperature Plasma Physics(In Eng) / WILEY-VCH : 89 ~ 98

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