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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2005.1
- 수록면
- 219 - 226 (8page)
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When a ferroelectric film has an inhomogeneous distribution of charged defects, a voltage shift in the polarization curve is induced by the internal field generated in the film. The direction and the magnitude of voltage shift in the P-V hysteresis curves obtained by the Sawyer-Tower method are different from those obtained by the virtual ground method. In this study, the asymmetric behavior in the P-V hysteresis curves of inhomogeneous ferroelectric films was investigated with a physical model and the polarization curves obtained by the Sawyer-Tower and the virtual ground methods are compared.
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/ 1991 / Modeling ferroelectric capacitor switching with asymmetric nonperiodic input signals and arbitrary initial conditions 70 : 2849 ~
/ 1995 / Limitations of the uniform effective field approximation due to doping of ferroelectric thin-film capacitors 78 : 4766 ~
/ 1998 / A comparative study on the nucleation and growth of ECR-PECVD PLZT thin films on Pt/SiO2/Si substrates and on Pt/Ti/SiO2/Si substrates 333 : 142 ~
/ 1998 / Electronic characteristics of the SrBi2Ta2O9Pt junction 84 : 2170 ~
/ 1998 / Microstructure and electric properties of the PZT thin films fabricated by ECR PECVD the effects of an interfacial layer and rapid thermal annealing
/ 1995 / Limitations of the uniform effective field approximation due to doping of ferroelectric thin-film capacitors 78 : 4766 ~
/ 1998 / A comparative study on the nucleation and growth of ECR-PECVD PLZT thin films on Pt/SiO2/Si substrates and on Pt/Ti/SiO2/Si substrates 333 : 142 ~
/ 1998 / Electronic characteristics of the SrBi2Ta2O9Pt junction 84 : 2170 ~
/ 1998 / Microstructure and electric properties of the PZT thin films fabricated by ECR PECVD the effects of an interfacial layer and rapid thermal annealing
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